陽極電壓和晶閘管的陽極電流的關系，晶閘管被稱為伏安特性。三相固態繼電器輸入信號與TTL和COMS數字邏輯電路兼容。整流橋模塊將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。當加電壓為正的效果，打開晶閘管控制電極球蛋白（Ig = 0）情況下，閘流管的陽極和陰極之間，致動器的設計開始一些非常小的電流的陽極之間流動晶閘管和陰極展品很大的阻力，在狀態發展到現在的，被稱為斷開狀態。

當陽極工作電壓上升到企業某一具體數值時，可控硅突然由阻斷發展狀態轉化為導通狀態，簡稱通態。陽極這時的電壓可以稱為斷態不重復出現峰值輸出電壓(UDSM)，或稱正向關系轉折電壓(UBO)。

傳導后，一個大電流流過元件，其值主要由限流電阻決定（當負載使用時）。 隨著陽極電源工作電壓的降低或培養負載電阻的增加，陽極產生的電流可以不斷減小。 當陽極電流密度小于企業保持穩定電流IH時，SCR將從ON狀態轉換為有效阻塞發展狀態。當晶閘管控制電極流過正影響電流Ig時，SCR的正向關系匝數電壓下降。 Ig越大，轉彎電壓范圍越小。 當Ig足夠大時，晶閘管正向轉動電壓的變化很小。 

控制電極構件的較低的電流（電壓）被稱為觸發導通電流（電壓）。

當在陽極和陰極之間施加反向電壓時，在反向阻斷狀態的晶閘管，只有一小的反向漏電流流動。當反向電壓被增大到一定值時，反向漏電流顯著增加，稱為對應于所述電壓源，或轉向的反向擊穿電壓的非重復峰值電壓的反向電壓。如可以看到的，晶閘管和二極管類似的反向電壓特性。